直井 涼一郎
Ryoichiro Naoi
2026年3月修士課程修了
直井 涼一郎
Ryoichiro Naoi
2026年3月修士課程修了
発表論文
D. Elamaran, M. Sakai, H. Liu, R. Naoi, T. Kobayashi, K. Qi, V. Tung, S. Sakota, T. Yoshimura, N. Fujimura, B. Lu, R. A. Annur, S. Takakusagi, D. Kiriya, Scalable Independently Tunable MoS2 Memtransistor via Contact-Engineering for Cardiac Signal Processing, ACS NANO, accepted.
R. Naoi, H.-S. Hu, Y.-L. Chueh, D. Kiriya, "Post-Synthetic Method for Defined 1T’ Phase in Chemical Vapor Deposition-Grown Monolayer Molybdenum Disulfide", ACS Applied Materials and Interfaces, 2026, 18, 18, 26741–26748.
R. Naoi, D. Elamaran, D. Kiriya, "Contact Engineering in 2D materials via a nm-thick hydro-soluble polymer insertion", ACS Applied Electronic Materials, 2025, 7, 5418-5425.
受賞
優秀研究・発表賞, 第10回サイボウニクス研究会, 伊香保, 2024年12月14日
東京大学広域科学専攻奨励賞, 2026年3月24日
プレゼンテーション
有機ポリマー接合による室温動作2Dトポロジカルデバイスの構築, 進化トロニクス公開成果発表会, 2026年2月(ポスター発表)
次世代スマホ・AIはこの技術から:有機ポリマー接合による室温動作2Dトポロジカルデバイスの構築、第11回サイボウニクス研究会、2025年12月(ポスター発表)
有機ポリマー被覆を介した二次元半導体の構造的変調の検討、第86回応用物理学会秋季学術講演会、2025年9月(ポスター発表)
ポリマー被覆処理による2次元半導体の量子相への転移に関する考察、第三回進化トロニクス領域会議、2025年6月(ポスター発表)
絶縁性ポリマー層挿入によるWSe2-FETのショットキーバリア変調、第72回応用物理学会学術講演会、2025年3月(口頭発表)
自己形成ポリマーを用いた二次元材料における界面工学、第10回サイボウニクス研究会、2024年12月(口頭発表)
絶縁性ポリマー層を用いたWSe2 FET極性制御の手法開拓, 学術変革領域研究B進化トロニクス, 2024年12月(ポスター発表)
WSe2 MOSFETにおける電極コンタクトへの絶縁性ポリマー層の挿入, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月(ポスター発表)