直井 涼一郎
Ryoichiro Naoi
修士課程1年生
直井 涼一郎
Ryoichiro Naoi
修士課程1年生
発表論文
準備中
受賞
優秀研究・発表賞, 第10回サイボウニクス研究会, 伊香保, 2024年12月14日
プレゼンテーション
絶縁性ポリマー層挿入によるWSe2-FETのショットキーバリア変調、第72回応用物理学会学術講演会、2025年3月(口頭発表)
自己形成ポリマーを用いた二次元材料における界面工学、第10回サイボウニクス研究会、2024年12月(口頭発表)
絶縁性ポリマー層を用いたWSe2 FET極性制御の手法開拓, 学術変革領域研究B進化トロニクス, 2024年12月(ポスター発表)
WSe2 MOSFETにおける電極コンタクトへの絶縁性ポリマー層の挿入, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月(ポスター発表)